因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

閾值電壓漂移量：測(cè)量編程/擦除操作后電壓偏移值，檢測(cè)參數(shù)包括偏移量百分比和標(biāo)準(zhǔn)差。

阻變窗口穩(wěn)定性：評(píng)估高阻態(tài)與低阻態(tài)電壓差值保持能力，檢測(cè)參數(shù)包含窗口寬度變化率和漂移系數(shù)。

開(kāi)關(guān)閾值精度：標(biāo)定SET/RESET操作臨界電壓值，檢測(cè)參數(shù)涉及電壓分辨率0.01V及重復(fù)性誤差。

循環(huán)耐久性測(cè)試：記錄器件失效前最大操作次數(shù)，檢測(cè)參數(shù)包括失效循環(huán)次數(shù)統(tǒng)計(jì)分布。

保持特性分析：測(cè)定阻態(tài)隨時(shí)間衰減特性，檢測(cè)參數(shù)涵蓋10年數(shù)據(jù)保持率推算值。

溫度依賴性：驗(yàn)證-40℃~150℃溫區(qū)內(nèi)閾值電壓波動(dòng)，檢測(cè)參數(shù)含溫度系數(shù)mV/℃。

脈沖寬度響應(yīng)：分析操作脈沖時(shí)長(zhǎng)對(duì)閾值影響，檢測(cè)參數(shù)包含最小有效脈寬ns級(jí)數(shù)據(jù)。

電流合規(guī)特性：標(biāo)定限流值對(duì)阻變特性的約束，檢測(cè)參數(shù)涉及漏電流nA級(jí)監(jiān)測(cè)。

串?dāng)_效應(yīng)評(píng)估：測(cè)量相鄰單元操作時(shí)的電壓干擾，檢測(cè)參數(shù)包含串?dāng)_幅度dB值。

噪聲容限測(cè)試：量化操作電壓波動(dòng)容忍度，檢測(cè)參數(shù)包括噪聲抑制比統(tǒng)計(jì)值。

非線性度表征：驗(yàn)證阻變曲線線性區(qū)域特性，檢測(cè)參數(shù)含諧波失真率百分比。

檢測(cè)范圍

過(guò)渡金屬氧化物阻變材料：HfO2、TaOx基阻變存儲(chǔ)器單元的電壓參數(shù)標(biāo)定。

相變存儲(chǔ)器單元：GeSbTe合金材料的晶態(tài)/非晶態(tài)閾值電壓檢測(cè)。

導(dǎo)電細(xì)絲型存儲(chǔ)器：Cu/TaOx體系導(dǎo)電通道形成電壓特性分析。

鐵電隧道結(jié)器件：鐵電疇翻轉(zhuǎn)臨界電場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)量。

憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片：交叉陣列架構(gòu)中單元選擇電壓標(biāo)定。

嵌入式阻變存儲(chǔ)器：CMOS集成工藝器件的操作電壓窗口驗(yàn)證。

神經(jīng)形態(tài)計(jì)算單元：突觸權(quán)重更新閾值電壓特性測(cè)試。

多值存儲(chǔ)器件：多級(jí)阻態(tài)對(duì)應(yīng)的分階電壓參數(shù)檢測(cè)。

柔性電子存儲(chǔ)器：彎曲狀態(tài)下閾值電壓漂移量評(píng)估。

高密度存儲(chǔ)陣列：3D堆疊結(jié)構(gòu)的單元間電壓一致性測(cè)試。

輻射環(huán)境器件：電離輻射影響下的電壓容差分析。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

依據(jù)IEC 62624-3納米存儲(chǔ)器件電學(xué)測(cè)試規(guī)范

執(zhí)行JESD219阻變存儲(chǔ)器可靠性評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)

參照IEEE 1620.1非易失性存儲(chǔ)器測(cè)試指南

采用GB/T 35010-2018阻變存儲(chǔ)器通用規(guī)范

遵循ASTM F3606-22阻變器件參數(shù)標(biāo)定規(guī)程

應(yīng)用GB/T 26246-2010半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試方法

符合ISO/IEC 29158半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)量要求

檢測(cè)儀器

精密半導(dǎo)體參數(shù)分析儀：提供pA級(jí)電流分辨率，執(zhí)行DC/I-V特性曲線掃描。

任意波形脈沖發(fā)生器：輸出ns級(jí)可調(diào)脈寬信號(hào)，模擬實(shí)際操作條件。

高低溫探針臺(tái)：控制-65℃~300℃溫變環(huán)境，測(cè)試溫度依賴性。

多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：同步記錄1024個(gè)單元的實(shí)時(shí)電壓響應(yīng)數(shù)據(jù)。

噪聲注入模塊：生成可控幅度電源噪聲，驗(yàn)證器件噪聲免疫力。

原子力探針系統(tǒng)：納米級(jí)接觸電極定位，實(shí)現(xiàn)單器件原位測(cè)試。

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門(mén)取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件